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Dans le processus d'évolution de l'industrie des véhicules à énergie nouvelle vers un développement de haute qualité, le module d'alimentation embarqué, en tant que « noyau central » du système d'alimentation du véhicule, ses performances et sa fiabilité déterminent directement la puissance de sortie, le contrôle de la consommation d'énergie et le niveau de fonctionnement de sécurité de l'ensemble.
Promouvoir l'application et la vulgarisation de nouvelles technologies et de nouveaux produits dans l'industrie des matériaux de construction, guider divers éléments vers les industries émergentes du secteur des matériaux de construction et la transformation technologique des industries traditionnelles, et accélérer le haut de gamme,
L'IGBT est un nouveau type de dispositif à semi-conducteur de puissance qui intègre les avantages du BJT (transistor à jonction bipolaire) et du MOSFET (transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur), caractérisé par une haute tension, un courant important, une impédance d'entrée élevée, une faible puissance de commande et une vitesse de commutation rapide. C'est en extrême
